可控硅控制器適用于采用三相橋式全控、三相橋式半控或帶平衡電抗器雙反星形可控整流電路、電阻或電感性負載的直流調壓裝置（如電鍍、電氧化、電加熱……）。

1.1 可控硅控制器適用范圍

本控制器為三相相控整流裝置的可控硅閉環觸發控制器。工作可靠，脈沖對稱度高，溫度穩定性好，功能齊全。適用于采用三相橋式全控、三相橋式半控或帶平衡電抗器雙反星形可控整流電路、電阻或電感性負載的直流調壓裝置(如電鍍、電氧化、電加熱……)。

1.2 可控硅控制器特點

鎖相控制模擬—數字觸發電路

開環—閉環兩種控制方式

限壓恒流或限流恒壓兩種調節方式

相序自適應功能(應用時，不用找相序及定相定同步。)

上電封鎖、軟起動功能。

過流過壓保護功能

一體化結構，集電源、保護單元、觸發單元、脈沖變壓器于一體，使用調試簡單，不用示波器。

2  可控硅控制器技術參數

2.1 觸發輸出(六路雙脈沖列)

脈沖寬度：＞1.6ms

脈沖電流峰值：＞800mA

各相脈沖不均衡度：≤1°

移相范圍：0—170°

2.2 調節特性(電流電壓雙調節)

恒壓、恒流精度：優于1%

調節時間：0.1S

2.3 反饋參數

電壓反饋輸入：直流12V，內阻6K。

電流反饋輸入：交流互感器 100mA，輸入內阻1Ω。

直流分流器 75mV，內阻1KΩ。

電流傳感器 直流5V，內阻50K。

注：上述反饋量值是額定輸出時的反饋值

2.4 輸入控制電壓：0— -10V

2.5 保護特性

   過流保護整定范圍：額定負載電流的50—200%

   過壓保護整定范圍：額定電壓的50—200%

2.6 工作環境

   環境溫度：-25—+40℃

   相對濕度：＜85%

2.7 電源：三相380V±10%，50Hz。

2.8 整機功耗：＜10W

2.9 外型尺寸：262×192×60(詳見附圖2)

2.10 重量：1.3Kg