CL-STEM設(shè)備特點(diǎn)：
→ 從激發(fā)發(fā)光到探測(cè)，光的傳輸損失小
→ 恒定光譜分辨率，無需損失強(qiáng)度。
→ 3軸亞微米級(jí)電動(dòng)反光鏡—采集樣品任意位置發(fā)光
→ 精密設(shè)計(jì)，配置于極靴/樣品間 2mm 間隙。
→ 配置超快相機(jī)及高精度掃描收集鏡，可在數(shù)毫秒瞬間實(shí)現(xiàn)紫外可見近紅外高光譜成像
→ 與STEM其他技術(shù)*兼容
(HAADF, BF, diffraction, EELS (插入式探測(cè)器),EDS, Tomography (可伸縮探測(cè)器)
→ 與Gatan Digital Micrograph軟件兼容
CL-STEM應(yīng)用領(lǐng)域：
→ *材料性質(zhì)研究，如：
氮化物半導(dǎo)體 (GaN, InGaN, AlGaN, …);
III-V族半導(dǎo)體(GaP,InP,GaAs,…);
II-VI族半導(dǎo)體(CdTe,ZnO,…)
→ 寬禁帶材料(diamond, AlN, BN)
→ 檢測(cè)復(fù)合材料的成分的不均一性 (例如：InGaN材料中In富集)
→ 材料微納結(jié)構(gòu)或異質(zhì)結(jié)構(gòu)形貌相關(guān)聯(lián)的光學(xué)特性
→ 缺陷表征(空位，線位錯(cuò)，堆垛層錯(cuò), …)
→ 表面等離子體激元學(xué)
