上海伯東代理美國 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統, 可以控制較低的離子能量, 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻
美國 KRI 霍爾離子源 eH 400
上海伯東代理美國 KRI 霍爾離子源 eH 400 低成本設計提供高離子電流, 霍爾離子源 eH 400 尺寸和離子能量特別適合中小型的真空系統, 可以控制較低的離子能量, 通常應用于離子輔助鍍膜, 預清洗和低能量離子蝕刻.
尺寸: 直徑= 3.7“ 高= 3”
放電電壓 / 電流: 50-300eV / 5a
操作氣體: Ar, Xe, Kr, O2, N2, 有機前體
KRI 霍爾離子源 eH 400 特性
• 可拆卸陽極組件 - 易于維護; 維護時, 最da限度地減少停機時間; 即插即用備用陽極
• 寬波束高放電電流 - 均勻的蝕刻率; 刻蝕效率高; 高離子輔助鍍膜 IAD 效率
• 多用途 - 適用于 Load lock / 超高真空系統
• 高效的等離子轉換和穩定的功率控制
KRI 霍爾離子源 eH 400 技術參數:
型號
eH 400 / eH 400 LEHO
供電
DC magnetic confinement
- 電壓
40-300 V VDC
- 離子源直徑
~ 4 cm
- 陽極結構
模塊化
電源控制
eHx-3005A
配置
-
- 陰極中和器
Filament, Sidewinder Filament or Hollow Cathode
- 離子束發散角度
> 45° (hwhm)
- 陽極
標準或 Grooved
- 水冷
前板水冷
- 底座
移動或快接法蘭
- 高度
3.0'
- 直徑
3.7'
- 加工材料
金屬
電介質
半導體
- 工藝氣體
Ar, Xe, Kr, O2, N2, Organic Precursors
- 安裝距離
6-30”
- 自動控制
控制4種氣體
* 可選: 可調角度的支架; Sidewinder
KRI 霍爾離子源 eH 400 應用領域:
• 離子輔助鍍膜 IAD
• 預清潔 Load lock preclean
• In-situ preclean
• Low-energy etching
• III-V Semiconductors
• Polymer Substrates
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發生產考夫曼離子源 Gridded 和霍爾離子源 Gridless. 美國考夫曼離子源歷經 40 年改良及發展已取得多項 . 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射沉積 IBSD 領域, 上海伯東是美國考夫曼離子源 (離子槍) 中國總代理.
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