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硅探測器

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si探測器光譜響應圖硅光電探測器是光電器件重要的的組成部分,是可見光和近紅外波段主要的探測器

詳細信息 在線詢價

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                       si探測器                                         光譜響應圖

      硅光電探測器是光電器件重要的的組成部分,是可見光和近紅外波段主要的探測器。硅的探測器的工作波長在0.3-1.0微米。在室溫的條件下,

  該產(chǎn)品具有很高的靈敏度,還有一些附件支持,如濾光片(長波濾光片和帶通濾光片)、前置放大器、光纖連接器。這些器件可應用在工業(yè)的控

  制系統(tǒng)、氣體分析、熱傳感器以及光纖測試設備中。

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1.室溫Si探測器

Detector type

Active Dia

(mm)

Shunt Resistanve

(MΩ)

Shunt Capacitance

pF),tpy

OperatingWavelength (nm)

Spectral

Responsivity

(A/W)

NEP

(W/ HZ 1/2 )

@800nm,1KHz

LD-S-010

1.0

500

25

300-1000

0.55@850nm

<1.0x10-14

LD-UVS-010

1.0

500

50

200-1000

0.55@800nm

<1.0x10-14

LD-S-025

2.5

500

400

300-1000

0.55@850nm

<1.0x10-14

LD-UVS-025

2.5

200

300

200-1000

0.50@800nm

<1.5x10-14

LD-S-050

5

200

1500

350-1100

0.55@850nm

<1.5x10-14@850nm

LD-UVS-050

5

50

1000

200-1100

0.50@800nm

<3.0x10-14@700nm

LD-S-100

10

10

1000

350-1100

0.50@850nm

<1.0x10-13@850nm

LD-UVS-100

10

50

1800

200-1000

0.50@800nm

<5x10-14@800nm

LD-S-113

11.3

200

9000

300-1100

0.55@850nm

<1.5x10-14

LD-UVS-113

11.3

10

4000

200-1000

0.50@800nm

<1.0x10-13

2. 二級制冷Si探測器

type

OperatingTemperature(℃)

Shunt

Resistanve

(MΩ)

Shunt Capacitance

(pF),tpy

NEP

(W/ HZ 1/2        )@800nm

Responsivity@850nm

(A/W)

Cooler Current

(A)

LD-S-010-TE2

22

500

25

——

0.55

0.00

-30

>1000

25

——

0.55

0.65

LD-UVS-010-TE2

22

500

50

——

0.55

0.00

-30

>1000

50

——

0.55

0.65

LD-S-025-TE2

22

100

400

<1.9x10-14

0.55

0.00

-30

>1000

400

<5x10-15

0.55

0.65

LD-UVS-025-TE2

22

200

300

<1.5x10-14

0.55

0.00

-30

>1000

300

<10-14

0.55

0.65

LD-S-050-TE2

22

>200

1000

<1.5x10-14

0.55

0.00

-30

>1000

1000

<10-14

0.55

0.65

LD-UVS-050-TE2

22

>100

1000

<2x10-14

0.55

0.00

-30

>1000

1000

<10-14

0.55

0.65

LD-S-100-TE2

22

10

1000

<1.0x10-13

0.50

0.00

-30

500

900

<1.0x10-14

0.50

0.70

LD-UVS-100-TE2

22

50

1800

<5.0x10-14

0.50

0.00

-30

1000

1600

<1.0x10-14

0.50

0.70



 


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