DSi300硅光電探測器電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導放大器做為前級放大并轉換為電壓信號，標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；
DSi200/DSi300硅光電探測器———室溫型探測器，波長范圍：200-1100nm
兩種型號的探測器室的外觀相同，其中：
DSi200型內裝進口紫敏硅光電探測器
DSi300型內裝進口藍光增強型硅光電探測器
推薦配合I-V放大器（型號：ZAMP）使用
兩種型號硅光電探測器的光譜響應度曲線圖：
DSi300硅光電探測器使用建議：
DSi200/DSi300均為電流輸出模式的光電探測器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號處理器前，建議采用I-V跨導放大器做為前級放大并轉換為電壓信號，標明可輸入電流信號的信號處理器可直接接入信號，但仍建議增加前置放大器以提高探測靈敏度；
DSi200/DSi300配合DCS103數據采集系統使用時，建議采用I-V跨導放大器以提高探測靈敏度；
DSi200/DSi300配合DCS300PA數據采集系統使用時，由于DCS300PA雙通道已集成信號放大器，故可不再需要另行選配前置放大器。
DSi300硅光電探測器型號列表及主要技術指標：
| 技術指標＼型號名稱 | DSi200 紫敏硅探測器 | DSi300 藍光增強型硅探測器 | |
| 進口紫外增強型 | 進口藍光增強型 | ||
| 有效接收面積(mm2) | 100(Ø1.28) | 100(Ø1.28) | |
| 波長使用范圍(nm) | 200-1100 | 350-1100 | |
| 峰值波長(nm)，典型值 | 820nm | 970nm | |
| 峰值波長響應度(A/W) | 0.52 | 0.60(>0.55) | |
| 典型波長的響應度(A/W) | 0.14(>0.09)@254nm | 0.20(>0.15)@410nm | |
| 響應時間(μs) | 5.9 | 2 | |
| 工作溫度范圍(℃) | -10～+60 | -10～+60 | |
| 儲存溫度范圍(℃) | -20～+70 | -20～+70 | |
| 分流電阻RSH(MΩ) | 10(>5) | (>10) | |
| 等效噪聲功率NEP(W/√Hz) | 4.5×10-13 | 2.0×10-13 | |
| zui大操作電流(mA@0V bias) | 0.1 | 10.0 | |
| 結電容(pf@0V bias) | 4500 | 8800 | |
| 信號輸出模式 | 電流 | 電流 | |
| 輸出信號極性 | 正（P） | 正（P） | |
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