掃描電導率－塞貝克系數顯微鏡可以測量樣品的電導率和塞貝克系數的空間分布狀況，是研究熱電材料的利器。

主要技術參數
    位置單向定位精度： 1 μm
    位置雙向定位精度： 3 μm
    zui大掃描區域：       150 mm × 50 mm
    局部測量精度：       10 μm (與該區域的熱傳導有關)
    信號測量精度：       100 nV

    測量結果重復性：    優于3%
    誤差
    塞貝克系數：          < 3% (半導體)
                                 < 5% (金屬)
    電導率：                < 5% (半導體)
                                 < 8% (金屬)
    測量速度：            測量一個點的時間小于4秒

    電導率-塞貝克系數掃描探針顯微鏡技術由德國 Panco 公司和德國宇航中心公共研制開發，點擊資料下載按鈕下載說明手冊。

部分用戶名單： 
Beijing University of Technology
Corning Company
Korea Research Institute of Standards and Science
Shanghai Institute of Ceramics, CAS
Germany Air Force Research Lab

Simens Company
Gwangju Institute of Science and Technology
Hamburg University
Munich University