SDY-4四探針測(cè)試儀是根據(jù)單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)測(cè)試儀器。

SDY-4型四探針測(cè)試儀(配DJ-1型電動(dòng)測(cè)試臺(tái))



SDY-4四探針測(cè)試儀是根據(jù)單晶硅物理測(cè)試方法國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)并參考美國(guó)A.S.T.M標(biāo)準(zhǔn)設(shè)計(jì)的半導(dǎo)體材料電阻率及方塊電阻(薄層電阻)測(cè)試儀器。
儀器以大規(guī)模集成電路為核心部件,應(yīng)用模擬和數(shù)字控制技術(shù),配備微型電動(dòng)升降測(cè)試臺(tái)：采用平面輕觸式開(kāi)關(guān)控制,及各種工作狀態(tài)LED指示。整套儀器體積小、功耗低、測(cè)量精度高、測(cè)試速度快、穩(wěn)定性好、易操作。
本儀器適用于測(cè)量半導(dǎo)體晶片電阻率，以及擴(kuò)散層材料、離子注入層、異型外延層的方塊電阻。也可測(cè)量在玻璃等絕緣材料上形成的器件的導(dǎo)電薄膜方塊電阻。

技術(shù)指標(biāo)
1 測(cè)量范圍：電阻率：0.001-200Ω.cm(可擴(kuò)展)。 方塊電阻：0.01-2000Ω/口(可擴(kuò)展)。
2 可測(cè)晶片直徑(zui大)：100mm/150mm。
3 恒流源：電流量程分為0.1、1、10、100(mA)四檔,各檔電流連續(xù)可調(diào)。誤差〈±0.3%
4 數(shù)字電壓表：量程：0-199.99mV。 分辨率：10μV。顯示：四位半紅色發(fā)光管數(shù)字顯示。極性、小數(shù)點(diǎn)、超量程自動(dòng)顯示。輸入阻抗〉1000MΩ。 精度：±0.1%.
5 zui大電阻測(cè)量誤差(按JJG508-87進(jìn)行)：0.1Ω、1Ω、10Ω、100Ω小于等于0.3%±1字.
6 四探針探頭：間距：1±0.01mm。針間絕緣電阻≥1000MΩ。機(jī)械游移率：≤0.3%
探針壓力：TZT-9C/9D 5-8 牛頓(總力)
7 整機(jī)不確定度：(用硅標(biāo)樣片測(cè)試)≤5% (0.01-180Ω.cm)
8 外形尺寸：電氣主機(jī)：360×320×100mm；測(cè)試臺(tái)：260×154×250mm
9 數(shù)據(jù)處理器：300×210×105mm
10 儀器重量：電氣主機(jī)：約4kg；測(cè)試臺(tái)：約10kg
11 測(cè)試環(huán)境：溫度23±2℃；相對(duì)濕度≤65％；無(wú)高頻干擾；無(wú)強(qiáng)光照射。

主要功能特點(diǎn)

1.測(cè)試數(shù)據(jù)自動(dòng)保持(當(dāng)該功能選擇有效時(shí))。
2.無(wú)樣品數(shù)據(jù)自動(dòng)顯示為零(當(dāng)該功能選擇有效時(shí))。
3.無(wú)外負(fù)載式電流調(diào)整。
4.恒流源電路正常自動(dòng)顯扎示。
5.電動(dòng)測(cè)試臺(tái)多種操作方法選擇。


訂購(gòu)指南

編號(hào) 品名 備注 單價(jià)(元)
142118 SDY4四探針測(cè)試儀 SDY-4型四探針測(cè)試儀主機(jī)、DJ-1型電動(dòng)測(cè)試臺(tái)、裝配9D探頭 20968.00/套
142120 TZT-9D型四探針探頭 探針間距1mm針距，針尖材料：碳化鎢鋨合金。針尖曲率半徑：40±5μm。探針壓力：5至8牛頓(總壓力，此范圍內(nèi)可調(diào))。探針機(jī)械游移率：小于0.3%。探針伸出長(zhǎng)度2+0.5mm。針尖錐體夾角60度。針間絕緣電阻：大于109Ω

TZT-9D型四探針探頭采用環(huán)氧精澆注(帶紅寶石軸套),以保證精確的針距.同時(shí)適用復(fù)合材料作探針,從而提高探針頭的使用壽命.它具有絕緣性能好、測(cè)試數(shù)據(jù)可靠，使用壽命長(zhǎng)等特點(diǎn)。它的所有技術(shù)指標(biāo)符合國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，同時(shí)符合美國(guó)ASTM標(biāo)準(zhǔn)的有關(guān)規(guī)定。用于測(cè)薄片
1468.00