日立離子研磨儀標準機型IM4000Ⅱ能夠進行截面研磨和平面研磨。還可通過低溫控制及真空轉移等各種選配功能,針對不同樣品進行截面研磨。
日立離子研磨儀標準機型IM4000Ⅱ能夠進行截面研磨和平面研磨。還可通過低溫控制及真空轉移等各種選配功能,針對不同樣品進行截面研磨。
IM4000II配備截面研磨能力達到500 µm/h*1以上的高效率離子槍。因此,即使是硬質材料,也可以高效地制備出截面樣品。
樣品:Si片(2 mm厚)
加速電壓:6.0 kV
擺動角度:±30°
研磨時間:1小時
截面研磨時如果擺動的角度發生變化,加工的寬度和深度也會發生變化。下圖為Si片在擺動角度為±15°下進行截面研磨后的結果。除擺動角度以外,其他條件與上述加工條件一致。通過與上面結果進行對比后,可發現加工的深度變深。
對于觀察目標位于深處的樣品來說,能夠對樣品進行更快速的截面研磨。
樣品:Si片(2 mm厚)
加速電壓:6.0 kV
擺動角度:±15°
研磨時間:1小時
將液氮裝入杜瓦罐中,以此作為冷卻源間接冷卻樣品。IM4000Ⅱ配有溫度調節控制功能,以防止樹脂和橡膠樣品過冷。
常溫研磨
冷卻研磨(-100℃)
離子研磨加工后的樣品可以在不接觸空氣的狀態下直接轉移到SEM*1、AFM*2上。真空轉移功能與低溫控制功能可同時使用。(平面研磨真空轉移功能不適用低溫控制功能)。
右圖為用于觀察樣品加工過程的體式顯微鏡。搭載了CCD相機的三目型顯微鏡能夠在顯示器上進行觀察。也可配置雙目型體式顯微鏡。
主要內容 | |
---|---|
使用氣體 | 氬氣 |
氬氣流量控制方式 | 質量流量控制 |
加速電壓 | 0.0 ~ 6.0 kV |
尺寸 | 616(W) × 736(D) × 312(H) mm |
重量 | 主機53 kg+機械泵30 kg |
截面研磨 | |
研磨速度(Si材料) | 500 µm/h*1以上 |
樣品尺寸 | 20(W)×12(D)×7(H)mm |
樣品移動范圍 | X±7 mm、Y 0 ~+3 mm |
離子束間歇加工功能 開啟/關閉 時間設定范圍 | 1秒 ~ 59分59秒 |
擺動角度 | ±15°、±30°、±40° |
廣域截面研磨功能 | - |
平面研磨 | |
加工范圍 | φ32 mm |
樣品尺寸 | Φ50 X 25 (H) mm |
樣品移動范圍 | X 0~+5 mm |
離子束間歇加工功能 開啟/關閉 時間設定范圍 | 1秒 ~ 59分59秒 |
旋轉速度 | 1 rpm、25 rpm |
擺動角度 | ±60°、± 90° |
傾斜角度 | 0 ~ 90° |
項目 | 內容 |
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低溫控制功能*2 | 通過液氮間接冷卻樣品,溫度設定范圍:0°C ~ -100°C |
超硬遮擋板 | 使用時間約為標準遮擋板的2倍(不含鈷) |
加工過程觀察用顯微鏡 | 放大倍數 15× ~ 100× 雙目型、三目型(可裝CCD) |
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