半導體芯片退火設備 RTP快速退火爐可應用于集成電路的離子注入退火；集成電路、LED芯片、半導體激光器芯片、射頻芯片、MEMS芯片、功率器件、分立器件、第三代半導體等的合金化退火；石墨烯，Au納米晶的制備；集成電路，LED芯片、第三代半導體等的致密化退火；集成電路、分立器件、功率器件、射頻芯片等的熱氮化/熱氧化退火。

半導體芯片退火設備 RTP快速退火爐可應用于集成電路的離子注入退火；集成電路、LED芯片、半導體激光器芯片、射頻芯片、MEMS芯片、功率器件、分立器件、第三代半導體等的合金化退火；石墨烯，Au納米晶的制備；集成電路，LED芯片、第三代半導體等的致密化退火；集成電路、分立器件、功率器件、射頻芯片等的熱氮化/熱氧化退火。

快速退火爐對材料的快速熱處理(RTP)、快速退火(RTA)、快速熱氮化(RTN)、快速熱氧化(RTO)及金屬合金化等研究和生產起到重要作用。