核心技術：基于第三代半導體自主研發，面向痕量和超痕量元素分析的高靈敏度TXRF技術的基礎研究，涉及新型光學設計和小型化儀器開發，制樣方法、基體效應研究以及與多方法聯用的研究
核心技術：
基于第三代半導體自主研發，面向痕量和超痕量元素分析的高靈敏度TXRF技術的基礎研究， 涉及新型光學設計和小型化儀器開發， 制樣方法、基體效應研究以及與多方法聯用的研究。
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| TXRF技術原理示意圖 | 基于波導光學TXRF結構示意圖 |
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| 波導管（waveguide） 結構示意圖 | Glancing Angle Dependence Of Measured Fluorescence Intensity Of Si And Ca |
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| For Multi-element Energy Scale Test Spectrum（x-ray Tube Was Operated At 20kv And 500μa） | Matrix Effect（Absorption And Enhancement） |
Single element | Cr | Mn | Co | Cu | Ga | Sr | Pb |
LLD/ng | 0.029 | 0.021 | 0.055 | 0.049 | 0.052 | 0.124 | 0.362 |
RSD(%， n=7) | 0. 72 | 0.81 | 121 | 1.49 | 1.14 | 2.63 |
Multi-element | S | Sc | V | Mn | co | Cu | Ga | As | Y |
LLD/ng | 0.63 | 0.16 | 0.15 | 0.13 | 0.12 | 0.16 | 0.18 | 0.31 | 0.88 |
Other report | 1.77 | 0.87 | 0. 53 | 0.35 | 0.23 | 0.43 | 0.27 | 0.50 | 0. 37 |
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