PMGI負光刻膠產品名稱：光刻膠型號：PMGI關鍵詞：MicroChem系列光刻膠PMGILOR負光刻膠使能高產，廣泛應用于在處理多種數據存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離
PMGI 負光刻膠
產品名稱：光刻膠
型號：PMGI
關鍵詞：MicroChem系列光刻膠
PMGI & LOR負光刻膠使能高產，廣泛應用于在處理多種數據存儲和無線芯片到MEMS的金屬剝離。PMGI & LOR負光刻膠作為雙疊層光刻膠，PMGI & LOR在超出單層防腐可以延長限制剝離處理。這包括非常高的分辨率的金屬化（＜0.25µM），以及非常厚（＞4µm）金屬化。這些的材料可幾乎滿足任何客戶需要。
材料用途：金屬電梯加工，橋制造，釋放層
材料屬性：
l 覆蓋在成像抗蝕劑不會混雜
l 在TMAH雙疊層一步發展，或KOH開發
l 高熱穩定性：Tg ~190 C
l 快速清除和常規抗剝離干凈
l 0.25µm微米雙層抗蝕成像
l 產量高，可用于很厚（＞3µm）金屬剝離處理
| Bi-Layer Lift-Off Process | Lift-Off: An enabling, additive lithographic process. |
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| Step 1. LOR or PMGI is coated | 1. Bi-layer resist pattern |
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| Step 2. The imaging resist is coated onto the LOR or PMGI layer. | 2. Metal Deposition |
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| Step 3. The imaging resist is exposed. | 3. Clean solvent lift-off |
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| Step 4. The wafer is developed. | |
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| Step 5. Metal Deposition | |
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| Step 6. Lift-Off! |
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