追求理想的三維結構分析通過自動重復使用FIB制備截面和進行SEM觀察，采集一系列連續截面圖像，并重構特定微區的三維結構。采用的鏡筒布局，從材料、設備到生物組織——在寬廣的領域范圍內實現傳統機型難以企及的高精度三維結構分析。SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角，形成三維結構分析的鏡筒布局融合高亮度冷場發射電子槍與高靈敏度檢測系統，從磁性材料到生物組織——支持分析各種樣品通過選配口碑良好的Micro-sampling®系統*和Tripl...
追求理想的三維結構分析
通過自動重復使用FIB制備截面和進行SEM觀察，采集一系列連續截面圖像，并重構特定微區的三維結構。
采用的鏡筒布局，從材料、設備到生物組織——在寬廣的領域范圍內實現傳統機型難以企及的高精度三維結構分析。
SEM鏡筒與FIB鏡筒互成直角，形成三維結構分析的鏡筒布局
融合高亮度冷場發射電子槍與高靈敏度檢測系統，從磁性材料到生物組織——支持分析各種樣品
通過選配口碑良好的Micro-sampling®系統*和Triple Beam®系統*，可支持制作高品質TEM及原子探針樣品
| 項目 | 內容 | |
|---|---|---|
| SEM | 電子源 | 冷場場發射型 |
| 加速電壓 | 0.1 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 2.1 nm@1 kV | |
| 1.6 nm@15 kV | ||
| FIB | 離子源 | 鎵 |
| 加速電壓 | 0.5 ～ 30 kV | |
| 分辨率 | 4.0 nm@30 kV | |
| 束流 | 100 nA | |
| 標準探測器 | In-colum二次電子探測器/In-colum背散射電子探測器/ 樣品室二次電子探測器 | |
| 樣品臺 | X | 0 ～ 20 mm *2 |
| Y | 0 ～ 20 mm *2 | |
| Z | 0 ～ 20 mm *2 | |
| θ | 0 ～ 360° *2 | |
| τ | -25 ～ 45° *2 | |
| 樣品尺寸 | 正方形邊長6 mm × 厚度2 mm | |
*2：
根據樣品座不同，行程不同
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