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簡介：1200℃*開啟式管式爐以電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結構和智能化程序控溫系統，可控硅控制，控溫精度高；雙層爐殼間配有風冷系統，有效降低爐殼表面溫度；結合我司標準真空、混氣系統，可抽真空通氣氛；...

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簡介：1200℃小型開啟式管式爐，雙層殼體結構，設計合理，外形美觀，結構緊湊；雙層爐殼間配有風冷系統，有效保證外殼表面溫度；真空級法蘭密封，結合我司標準真空、混氣系統，可抽真空通氣氛。

簡介：1200℃小型開啟式管式爐，雙層殼體結構，設計合理，外形美觀，結構緊湊；雙層爐殼間配有風冷系統，有效保證外殼表面溫度；真空級法蘭密封，結合我司標準真空、混氣系統，可抽真空通氣氛。

簡介：1700℃*管式爐以1700型優質硅鉬棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和智能化程序控溫系統，可控硅控制，控溫精度高；雙層爐殼間配有風冷系統，有效降低爐殼表面溫度；結合我司標準真空、混氣系統，可抽真空...

簡介：1700℃*管式爐以1700型優質硅鉬棒為加熱元件，采用雙層殼體結構和智能化程序控溫系統，可控硅控制，控溫精度高；雙層爐殼間配有風冷系統，有效降低爐殼表面溫度；結合我司標準真空、混氣系統，可抽真空...

簡介：1400℃雙溫區管式爐采用智能化程序溫控系統，可控硅控制，控溫精度高；高真空級法蘭密封，結合我司標準真空、混氣系統，可抽真空通氣氛；以優質硅碳棒為加熱元件，采用智能化控溫系統，可控硅控制，控溫精度...

簡介：1400℃雙溫區管式爐采用智能化程序溫控系統，可控硅控制，控溫精度高；高真空級法蘭密封，結合我司標準真空、混氣系統，可抽真空通氣氛；以優質硅碳棒為加熱元件，采用智能化控溫系統，可控硅控制，控溫精度...

簡介：1400℃三溫區管式爐采用智能化程序溫控系統，可控硅控制，控溫精度高；高真空級法蘭密封，結合我司標準真空、混氣系統，可抽真空通氣氛；以優質硅碳棒為加熱元件，采用智能化控溫系統，可控硅控制，控溫精度...

簡介：1400℃三溫區管式爐采用智能化程序溫控系統，可控硅控制，控溫精度高；高真空級法蘭密封，結合我司標準真空、混氣系統，可抽真空通氣氛；以優質硅碳棒為加熱元件，采用智能化控溫系統，可控硅控制，控溫精度...

簡介：1700℃雙溫區管式爐采用雙層殼體結構，智能化自動控溫系統、可控硅控制，控溫精度高；內置兩個溫區，可營造不同的溫度梯度；結合我司標準真空、混氣系統，可抽真空通氣氛。

簡介：1700℃雙溫區管式爐采用雙層殼體結構，智能化自動控溫系統、可控硅控制，控溫精度高；內置兩個溫區，可營造不同的溫度梯度；結合我司標準真空、混氣系統，可抽真空通氣氛。

簡介：1700℃三溫區管式爐采用智能化自動控溫系統、可控硅控制，控溫精度高；內置三個溫區，可以營造不同的溫度梯度；雙層爐殼間配有風冷系統，有效降低爐殼表面溫度；采用真空級法蘭密封，結合我司標準真空、混氣...

簡介：1700℃三溫區管式爐采用智能化自動控溫系統、可控硅控制，控溫精度高；內置三個溫區，可以營造不同的溫度梯度；雙層爐殼間配有風冷系統，有效降低爐殼表面溫度；采用真空級法蘭密封，結合我司標準真空、混氣...

簡介：1200℃雙溫區滑動式管式爐是為生長石墨烯研制的爐，也同樣適用于要求升降溫速度比較快的CVD實驗。爐體采用開啟式結構，內置兩個溫區，可以營造不同的溫度梯度；爐底安裝有直線滑軌，當石墨烯生長結束后，...

簡介：1200℃雙溫區滑動式管式爐是為生長石墨烯研制的爐，也同樣適用于要求升降溫速度比較快的CVD實驗。爐體采用開啟式結構，內置兩個溫區，可以營造不同的溫度梯度；爐底安裝有直線滑軌，當石墨烯生長結束后，...

簡介：1200℃雙溫區開啟式管式爐以電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結構,智能化程序控溫系統，可控硅控制，控溫精度高；內置兩個溫區，可以營造不同的溫度梯度。雙層爐殼間配有風冷系統，有效降低爐殼表面溫度；結...

簡介：1200℃雙溫區開啟式管式爐以電阻絲為加熱元件，采用雙層殼體結構,智能化程序控溫系統，可控硅控制，控溫精度高；內置兩個溫區，可以營造不同的溫度梯度。雙層爐殼間配有風冷系統，有效降低爐殼表面溫度；結...

簡介：1200℃三溫區開啟式管式爐采用智能化程序控溫系統，可控硅控制，控溫精度高；雙層爐殼間配有風冷系統，有效降低外殼表面溫度；開啟式爐蓋設計，可在高溫情況下觀察物料反應情況并實現迅速降溫；真空級法蘭密...

簡介：1200℃三溫區開啟式管式爐采用智能化程序控溫系統，可控硅控制，控溫精度高；雙層爐殼間配有風冷系統，有效降低外殼表面溫度；開啟式爐蓋設計，可在高溫情況下觀察物料反應情況并實現迅速降溫；真空級法蘭密...