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簡(jiǎn)介：DPbS2900和DPbS3200常溫型硫化鉛紅外探測(cè)器為光導(dǎo)型近紅外探測(cè)器，使用時(shí)必須配合鎖相放大器，推薦使用SR830型或Model420型；

簡(jiǎn)介：RS-01ATR附件基于光內(nèi)反射原理而設(shè)計(jì)。從光源發(fā)出的紅外光經(jīng)過折射率大的晶體再投射到折射率小的試樣表面上，當(dāng)入射角大于臨界角時(shí)，入射光線就會(huì)產(chǎn)生全反射。

簡(jiǎn)介：DSi300硅光電探測(cè)器電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，標(biāo)明可輸入電流信號(hào)的信號(hào)處理器可直接接...

簡(jiǎn)介：DMCT（x）-De為液氮制冷型碲鎘汞探測(cè)器，x-12/14/16/22，四種截止波長(zhǎng)可選，適合一般測(cè)量，須選配前置放大器；DMCT12-HS為液氮制冷高速響應(yīng)型，集成前置放大器，響應(yīng)時(shí)間小于50...

簡(jiǎn)介：iDusInGaAs1.7探測(cè)器主要特點(diǎn)：0.6到1.7μm波長(zhǎng)范圍；峰值量子效率大于85%；TE制冷溫度可高達(dá)-90℃；單窗口設(shè)計(jì)，提升光通量；25μm像素尺寸，特別適合于高分辨率NIR光譜儀；

簡(jiǎn)介：DInSb5-De02為液氮制冷型銻化銦探測(cè)器，光敏面直徑2mm，另有1mm、4mm和7mm光敏面尺寸可選，詳情請(qǐng)咨詢公司銷售部；

簡(jiǎn)介：TE制冷型砷化銦探測(cè)器，DInAs3800-TE為電流輸出模式的光電探測(cè)器，在接入示波器、鎖相放大器等要求電壓輸入的信號(hào)處理器前，建議采用I-V跨導(dǎo)放大器做為前級(jí)放大并轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)，標(biāo)明可輸入電...

簡(jiǎn)介：TE制冷型銦鎵砷探測(cè)器DInGaAs（x）-TE具有相同的外觀設(shè)計(jì)，其中x-1700，2600，均采用進(jìn)口二級(jí)制冷銦鎵砷探測(cè)元件。

簡(jiǎn)介：◎產(chǎn)品介紹芯片-電路模塊由1個(gè)256×1的InGaAs芯片、2個(gè)128×1的讀出電路及一個(gè)過渡電極板組合而成

簡(jiǎn)介：◎產(chǎn)品介紹該產(chǎn)品采用640×512/320×256讀出電路芯片與640×512/320×256元光敏芯片倒焊互聯(lián)，實(shí)現(xiàn)對(duì)探測(cè)器信號(hào)的積分、存儲(chǔ)和輸出