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MDpicts 微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀

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MDpicts微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀圖1.與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)靈敏度：對(duì)半導(dǎo)體材料電學(xué)缺陷有靈敏度溫度范圍：液氮(77k)至500k

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MDpicts
微波探測(cè)光誘導(dǎo)電流瞬態(tài)譜儀
圖1. 與溫度有關(guān)的載流子發(fā)射瞬態(tài)

 

靈敏度：對(duì)半導(dǎo)體材料電學(xué)缺陷有靈敏度
溫度范圍：液氮(77k)至500k。可選:液氦(4k)或更高溫度
衰減常數(shù)范圍：20納秒到幾毫秒
沾污檢測(cè)：電學(xué)陷阱基本性能確定：激活能和陷阱的俘獲截面，受溫度和注入水平影響的少子壽命參數(shù)等

重復(fù)性：> 99.5%，測(cè)量時(shí)間：< 60分鐘。液氮消耗：2升/次
靈活性：從365 nm 到1480nm，根據(jù)不同材料選擇不同波長(zhǎng)激發(fā)光源
可訪問性：基于IP的系統(tǒng)允許來自世界任何地方的遠(yuǎn)程操作和技術(shù)支持
 圖2. 不同缺陷的評(píng)價(jià)


從Arrhenius斜率(圖3)可以確定活化能。圖3.Arrhenius曲線圖
 



利用這種新型MDPpicts設(shè)備，可在20~500k范圍內(nèi)測(cè)量溫度依賴性的瞬態(tài)光電導(dǎo)。
Si, GaAs, InP, SiC和其他很多半導(dǎo)體材料已成功采用了這種方法進(jìn)行研究。  
   
圖4. 不同溫度的Cz-Si晶圓片的MD-PICTS圖譜
                                                                                        
                                                         





                                                                                                                                                                                                              


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